全球最大半導體設備龍頭 ASML 已著手研發下一代先進微影設備 ,為未來十年的晶片產業做準備。該公司技術執行副總裁 Jos Benschop 向日經表示 ,這項技術足夠先進,爱华外汇官网正规吗可滿足 2035 年之後的製程需求 。
Jos Benschop 表示,ASML 及獨家光學协作夥伴蔡司(Carl Zeiss)目前研究可在單次曝光中印刷出解析度精細到 5 奈米電路的機器設計,並補充這項技術將足以滿足 2035 年及之後的產業需求。
ASML 最近才開始出貨業界最先進設備,已可達到單次曝光 8 奈米解析度 。相較之下,AVA外汇平台MT4下载較舊設備須多次曝光才能達到類似解析度 ,不僅效率較低,製造品質也不一定。
Benschop 表示,「我們正與蔡司進行設計研究,目標是實現數值孔徑(NA)0.7 或以上的系統 ,目前尚未設定具體上市時間表」。
數值孔徑(NA)是衡量光學系統整理與聚焦光線水平的關鍵指標,也是決定電路圖樣能否精細投影到晶圓上的關鍵因素 。當 NA 越大 、光波長越短 ,印刷解析度就越高。
目前標準 EUV 設備的 NA 為 0.33,新近一代 High NA EUV 則提高至 0.55。而 ASML 正朝向 NA 0.7 或「超高 NA(Hyper NA)」邁進,需要再次設計幾個關鍵系統。
ASML 目前已向英特爾 、台積電交付首批 High NA EUV 設備,不過 Benschop 表示 ,大規模採用仍需時間 ,產業界必須先驗證新系統的性能,並開發配套资料與软件 ,才能整体啟動,「這次新設備的導入與歷年來推出的創新软件情況類似 ,通常要幾年後才會進入大量產出階段。客戶需要學習如何流程,众汇外汇代理但我相信它很快會被用於高產能的晶片製造流程中」 。
(首圖來源:ASML)